SK hynix и SanDisk [объявили](https://news.skhynix.com/sk-hynix-and-sandisk-begin-global-standardization-ofnext-generation-memory-hbf/) о создании рабочей группы в рамках Open Compute Project для стандартизации High Bandwidth Flash (HBF). Речь о слое памяти на базе NAND, который должен занять промежуточную нишу между HBM и твердотельными накопителями, предлагая большую ёмкость, но без типичных задержек SSD.
По оценке SanDisk, HBF способна обеспечить в 8–16 раз большую ёмкость по сравнению с HBM при сопоставимой пропускной способности и близкой системной стоимости. Для первого поколения заявлены до 1,6 ТБ/с на чтение, 256 Гбит на кристалл и до 512 ГБ в 16-кристальном стеке. Форм-фактор и энергопотребление проектируются с прицелом на совместимость с HBM4 — то есть интеграция рядом с ИИ-ускорителями.
В следующих поколениях заявлен рост пропускной способности свыше 2 ТБ/с и 3,2 ТБ/с, увеличение ёмкости стека до 1–1,5 ТБ и одновременное снижение энергопотребления относительно первой версии.