Intel [представила](https://pc.watch.impress.co.jp/img/pcw/docs/2083/139/html/6_o.jpg.html) прототип ZAM — памяти с диагональной (ступенчатой) топологией межсоединений внутри стека кристаллов. В отличие от HBM с вертикальными TSV, соединения прокладываются под углом, что должно снизить электрические потери, уменьшить тепловыделение и повысить эффективность передачи данных.
Intel заявляет о потенциальном снижении энергопотребления на 40–50%, упрощении производства и возможности довести объём до 512 ГБ на один стек.